単一分子は機能を発現する最小単位です。我々は、エレクトロマイグレーションと言う現象に基づいた通電断線法を用いて、単一分子にアクセスするための1nm以下のギャップを有する金属電極の作製を行っています。特に数十原子以下の極微細金属接合におけるエレクトロマイグレーションの物理を明らかにすることにより、格段に精密に単一分子トランジスタを作製できるようになりました。さらに、単一分子トランジスタが示す特異な伝導の解明などを通して、新しいエレクトロニクスの可能性の探求を行っています。
トピックス
- バリスティック伝導領域でのエレクトロマイグレーションの物理
- 強磁性電極C60単一分子トランジスタの伝導
- H2TPP分子トランジスタにおける分子回転
- 金属内包フラーレン単一分子トランジスタの伝導
- テラヘルツ電磁波を用いた分子伝導の制御