Cambridge Nanotech社製の原子層堆積装置です。デジタル制御により原子層を1層ずつ堆積することで精確な厚さを実現することが出来ます。100℃～250℃程度の成膜温度で、Al₂O₃とHfO₂薄膜を堆積することが可能です。主として、良質なゲート絶縁膜を形成するために使用しています。