III族元素であるGa, Al, Inに加えて、V族元素のAs、およびドーパントとしてSi, Beを装着したIII-V族化合物半導体成長用の汎用分子線エピタキシー装置です。この装置を用いて、半導体超格子構造や量子ドット構造の作製を行っています。
結晶だけではなく、それに携わる人をも成長させる、それがVGなのです。