Ga, Al, As, およびSiのみを導入し、さらに大型クライオポンプ（CT-10）２基を装着した超高移動度半導体ヘテロ構造成長用の分子線エピタキシー装置です。10,000,000cm2/Vs程度の超高移動度を有する２次元電子系の作製を目標にしています。
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