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原子層堆積装置(ALD)


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Cambridge Nanotech社製の原子層堆積装置です。デジタル制御により原子層を1層ずつ堆積することで精確な厚さを実現することが出来ます。100℃~250℃程度の成膜温度で、Al2O3とHfO2薄膜を堆積することが可能です。主として、良質なゲート絶縁膜を形成するために使用しています。

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